(UFSCar) Uma tecnologia promissora para atender parte de nossas necessidades energéticas, sem a poluição gerada pela queima de combustíveis fósseis, envolve a transformação direta de parte da energia luminosa do Sol em energia elétrica. Nesse processo são utilizadas as chamadas células fotogalvânicas, que podem funcionar utilizando semicondutores extrínsecos de silício, constituídos por uma matriz de silício de alta pureza, na qual são introduzidos níveis controlados de impurezas.
Essas impurezas são elementos químicos em cujas camadas de valência há um elétron a mais ou a menos, em relação à camada de valência do silício. Semicondutores do tipo n são produzidos quando o elemento utilizado como impureza tem cinco elétrons na camada de valência. Considerando os elementos
B, P, Ga, Ge, As e In como possíveis impurezas para a obtenção de um semicondutor extrínseco de silício, poderão ser do tipo n apenas aqueles produzidos com a utilização de:
A) B.
B) Ge.
C) Ga e Ge.
D) P e As.
E) B, Ga e In.
RESOLUÇÃO:
Primeiramente, é importante lembrar que para a resolução dessa questão, é necessária a presença da tabela periódica (que é fornecida na prova).
Elementos com 5 elétrons de valência (5 elétrons na última camada eletrônica) são aqueles que se encontram na família 15 (antiga família VA) da tabela periódica.
São eles: N, P, As, Sb, Bi e Mc.
Resp: D
VEJA TAMBÉM:
– Questão resolvida sobre tabela periódica, do Pism-UFJF
– Questão resolvida sobre tabela periódica, da Fuvest
